
Generative AI 模型的快速普及已經從根本上改變了半導體供應鏈。雖然 2024 與 2025 年以積極擴建 AI 資料中心為特徵,但 2026 年則成為這波擴張影響更廣泛市場的一年。來自 Bain & Company 與 IDC 的主要報告證實,記憶體晶片——特別是 DRAM 與 NAND——的短缺,正迫使消費性電子(Consumer Electronics,CE)製造商將大量成本轉嫁給買家。
近十年來首次,科技硬體變得更昂貴,原因不是通貨膨脹,而是實體資源的重新分配。核心問題出在生產線:過去原本要給你智慧型手機的 LPDDR 記憶體的矽晶圓,現在正被製成用於企業級 GPU 的高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)。
當前短缺的根本原因是「三大」記憶體製造商策略性轉向——Samsung Electronics、SK Hynix 與 Micron Technology。受到 AI 硬體高額利潤推動,這些晶圓代工廠已將大約 30–40% 的產能重新分配到 HBM3e 與 HBM4 產品上。
此一轉變在標準 DDR5 與 LPDDR5x 等消費裝置用晶片的供應上造成真空。與標準記憶體不同,HBM 需要複雜封裝(TSV—Through Silicon Via)且佔用更多晶圓面積,實際上減少了產業能生產的總位元量。
Comparison of Memory Priorities in 2026
| Metric | AI Infrastructure Memory (HBM) | Consumer Device Memory (DDR/LPDDR) |
|---|---|---|
| Primary Application | AI Training Clusters, Data Center GPUs | Laptops, Smartphones, Gaming Consoles |
| Market Demand Growth | >200% 年增率 | 持平至低個位數成長 |
| Manufacturer Margin | 高(高價差) | 低(商品化定價) |
| Production Priority | 關鍵/頂級優先 | 次要/剩餘產能 |
短缺已迫使 PC 與智慧型手機原始設備製造商(OEMs)修正其 2026 年第 1 季與第 2 季的定價策略。產業分析指出,中階與入門機型受到的衝擊最嚴重,因為它們的利潤空間太薄,無法吸收上升的物料成本(Bill of Materials,BOM)。
今年尋找升級的消費者會注意到規格上的「規格縮水(shrinkflation)」或直接的價格跳升。一款在 2025 年可能售價為 $999 的標準旗艦智慧型手機,現在正朝 $1,200 的水準走去。同樣地,原本逐漸成為標配的 32GB 記憶體筆電,隨著 DDR5 模組成本飆升超過 60%,也出現溢價上漲。
Device Price Forecast: 2025 vs. 2026
| Device Category | Avg. Price (Jan 2025) | Projected Avg. Price (Jan 2026) | Est. Increase |
|---|---|---|---|
| Flagship Smartphone | $999 | $1,149 - $1,199 | +15% 至 20% |
| Mid-Range Laptop | $750 | $850 - $900 | +13% 至 20% |
| High-End Gaming PC | $2,000 | $2,300+ | +15% |
| Budget Tablet | $299 | $349 | +16% |
除了價格之外,可得性也變得零散。像 Dell、Lenovo 與 Xiaomi 等製造商據報已下調出貨目標。IDC 的預測顯示,僅因這些價格壓力,PC 市場在 2026 年可能萎縮近 9%,打回過去幾年看到的復甦成果。短缺如此嚴重,以致部分供應商延後下一代機型的推出,等待記憶體價格穩定。
根據近期供應鏈分析,緩解不會立刻到來。新製造廠(fab)上線所需的前置時間以年為單位,而非以月計。儘管製造商正搶著擴充產能,新晶圓開工的大宗仍被超大規模雲端業者(hyperscalers,例如 Microsoft、Google 與 Meta)預先預訂用於 AI 目的。
Key Factors Prolonging the Shortage:
分析師預測,推升這些價格的「記憶體超級週期(memory supercycle)」可能會持續到 2027 年中。直到那時,所謂的「AI 繁榮(AI Boom)」將繼續從它原本意圖服務的用戶身上抽取溢價,讓 2026 年成為硬體愛好者與一般消費者都頗為艱難的一年。